碳化硅由于其共價鍵結(jié)合的特點，燒結(jié)時的擴散速率相當(dāng)?shù)?，即使在?100℃的高溫，C和Si的自擴散系數(shù)也僅為1.5×10-10和2.5×10-13 cm2/s所以很難采取通常離子鍵結(jié)合材料所用的單純化合物常壓燒結(jié)途徑來制取高致密材料，必須采用一些特殊的工藝手段或依靠第二相物質(zhì)促進其燒結(jié)。

　　碳化硅很難燒結(jié)，其晶界能與表面能之比很高,不易獲得足夠的能量形成晶界而燒結(jié)成塊體。碳化硅燒結(jié)時的擴散速率很低，其表面的氧化膜也起擴散勢壘作用。因此，碳化硅需要借助添加劑或壓力等才能獲得致密材料。本制件采用Al-B-C作為燒結(jié)助劑。硼(B)在SiC晶界的選擇性偏析減小晶界能，提高燒結(jié)推動力，但過量的B會使SiC晶粒異常長大。添加C(碳)可以還原碳化硅表面對燒結(jié)起阻礙作用的SiO2膜，并使表面自由能提高。但過多的碳，使制品失重，密度下降。鋁(Al)有抑制晶粒長大的用，并有增強硼的燒結(jié)助劑作用,但過量的Al卻會使制件的高溫強度下降。因此,必須通過試驗合理確定Al，B，C的用量。

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