在生產(chǎn)環(huán)節(jié)方面，如今的燒結(jié)方法有熱壓碳化硅、常壓燒結(jié)碳化硅、反應(yīng)燒結(jié)碳化硅。我們應(yīng)該采用熱壓燒結(jié)碳化硅方法，因?yàn)槠錈Y(jié)出來(lái)的碳化硅陶瓷抗彎強(qiáng)度是三種方法更高的，而且斷裂韌性也是更高的，彈性模量更低。并且在熱壓燒結(jié)時(shí)在SiC中添加AIN，因?yàn)橥ㄟ^(guò)這種方法材料的抗彎強(qiáng)度會(huì)達(dá)到1100MPa。增強(qiáng)碳化硅陶瓷的韌性，通過(guò)晶須增加陶瓷復(fù)合材料的韌性，此方法一般有4種形式：裂紋偏轉(zhuǎn)效應(yīng)、微裂紋效應(yīng)、晶須拔出效應(yīng)、裂紋橋聯(lián)效應(yīng)和晶須的加入引起基體相變?cè)鲰g，裂紋偏轉(zhuǎn)增韌是裂紋非平面斷裂效應(yīng)的一種增韌方式。裂紋擴(kuò)展到達(dá)晶須時(shí)，被迫沿晶須偏轉(zhuǎn)，這意味著裂紋的前行路徑更長(zhǎng)，裂紋尖端的應(yīng)力強(qiáng)度減少，裂紋偏轉(zhuǎn)的角度越大，能量釋放率就越低，斷裂韌性就提高。微裂紋增韌就是在微裂紋尖端的應(yīng)力場(chǎng)和殘余應(yīng)力作用下，晶須形成微裂紋源，而在裂紋前方形成散步的(不聯(lián)通的)微裂紋區(qū)。拔出效應(yīng)是指當(dāng)裂紋擴(kuò)展遇到高強(qiáng)度晶須時(shí)，在裂紋尖端附近晶須與晶面上存在較大的剪切應(yīng)力，該應(yīng)力極易造成晶須與晶界的分裂，晶須可以從基體中拔出，因界面摩擦而消耗外界載荷的能量而達(dá)到增韌的目的。同時(shí)晶須從基體中拔出會(huì)產(chǎn)生微裂紋來(lái)吸收更多的能量。