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[金德百科]碳化硅陶瓷的合成與制備[ 2016-05-16 16:10 ]
碳化硅陶瓷的合成與制備
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[金德百科]碳化硅陶瓷的合成與制備[ 2015-10-31 17:05 ]
碳化硅很難燒結(jié),其晶界能與表面能之比很高,不易獲得足夠的能量形成晶界而燒結(jié)成塊體。碳化硅燒結(jié)時(shí)的擴(kuò)散速率很低,其表面的氧化膜也起擴(kuò)散勢壘作用。因此,碳化硅需要借助添加劑或壓力等才能獲得致密材料。本制件采用Al-B-C作為燒結(jié)助劑。硼(B)在SiC晶界的選擇性偏析減小晶界能,提高燒結(jié)推動(dòng)力,但過量的B會(huì)使SiC晶粒異常長大。添加C(碳)可以還原碳化硅表面對(duì)燒結(jié)起阻礙作用的SiO2膜,并使表面自由能提高。但過多的碳,使制品失重,密度下降。鋁(Al)有抑制晶粒長大的用,并有增強(qiáng)硼的燒結(jié)助劑作用,但過量的Al卻會(huì)使制件的高溫強(qiáng)度下降。因此,必須通過試驗(yàn)合理確定Al,B,C的用量。
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