碳化硅造粒粉及燒制陶瓷制品技術指標[ 12-15 16:17 ]

碳化硅造粒粉及燒制陶瓷制品技術指標

碳化硅陶瓷的燒結[ 05-26 17:34 ]

1974年年美國GE公司通過在高純度β-SiC細粉中同時加入少量的B和C，采用無壓燒結工藝，于2020℃成功地獲得高密度SiC陶瓷。目前，該工藝已成為制備SiC陶瓷的主要方法。美國GE公司研究者認為：晶界能與表面能之比小于1.732是致密化的熱力學條件，當同時添加B和C后，B固溶到SiC中，使晶界能降低，C把SiC粒子表面的SiO2還原除去，提高表面能，因此B和C的添加為SiC的致密化創(chuàng)造了熱力學方面的有利條件。然而，日本研究人員卻認為SiC的致密并不存在熱力學方面的限制。還有學者認為，SiC的致密化機理可能是液相燒結，他們發(fā)現(xiàn)：在同時添加B和C的β-SiC燒結體中，有富B的液相存在于晶界處。關于無壓燒結機理，目前尚無定論。

碳化硅陶瓷耐磨結構件[ 05-26 17:27 ]

碳化硅陶瓷耐磨結構件，將以下成分的原料按所述重量百分比進行混合：石油焦45～55%、單質硅25～35%、純凈水19～30%、pH值在6.8～7.2之間的聚乙烯醇1～2%。它的制造方法包括配料、制漿、制模、成形、干燥、修坯、燒結、精整等步驟。本發(fā)明采用碳化硅陶瓷代替?zhèn)鹘y(tǒng)的耐磨合金生產耐磨結構件，不僅具有防腐防銹性能，而且高硬度、耐磨損、耐高溫，使用壽命是高錳鋼和高鉻鑄鐵等耐磨金屬的10倍以上，并且體積密度小，工件重量輕，可以降低運行時馬達的功率消耗，節(jié)約了能源，利于推廣應用。

關于金德微通道反應器詳細介紹！[ 07-16 10:32 ]

金德微通道反應器，利用精密加工技術制造的特征尺寸在10到300微米（或者1000微米）之間的微型反應器，微通道反應器的“微”表示工藝流體的通道在微米級別，而不是指微反應設備的外形尺寸小或產品的產量小。微通道反應器中可以包含有成百萬上千萬的微型通道，因此也實現(xiàn)很高的產量。

金屬材料“碳化硅”問世[ 12-17 16:41 ]

  美國雜志《科學》近日報告，中國科學家開發(fā)了一種工藝簡單、可控性強的加工技術，制備出的金屬材料足以媲美非金屬材料碳化硅的硬度與穩(wěn)定性。這一技術解決了納米金屬材料制備過程中普遍存在的無法同時提高硬度和熱穩(wěn)定性的難題，具有重要的工業(yè)應用價值。   這種加工技術名為機械表面研磨處理，由中國科學院金屬研究所沈陽材料科學國家(聯(lián)合)實驗室研發(fā)。實驗室主任、中科院院士盧柯指出，這一技術工藝簡單，可控性強，可適用于鋁、鐵、鎳及其合金等多種工程材料，與非金屬材料碳化硅類似，制備出的金屬材料兼具超高硬度和

金德碳化硅軸承相關行業(yè)應用技術[ 12-17 16:33 ]

  碳化硅陶瓷作為現(xiàn)代工程陶瓷之一，是一種人工合成的新型無機非金屬材料。硬度僅次于金剛石，具有優(yōu)良的耐化學腐蝕、耐磨、耐高溫性能以及機械強度高、自潤滑性能好、抗高溫蠕變、摩擦系數(shù)小、導熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)低等特點，可廣泛用于石油、冶金、化工、機械、航空、航天原子能等領域，常用做機械密封的摩擦副材料。大量試驗表明，碳化硅是目前摩擦副中最優(yōu)秀的材料，尤以無壓燒結SiC和熱壓燒結SiC的性能最佳。   目前，國內生產的無壓燒結SsiC主要性能指標已接近國外同類產品的水平。雖然熱壓燒結SiC的性能